【摘 要】
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磁随机存取存储器属于新兴学科《自旋电子学》研究领域，也隶属于半导体和微电子学与磁学的前沿交叉学科领域。研发基于电子自旋内禀属性的一系列自旋电子学器件，可大大促进科学
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磁随机存取存储器属于新兴学科《自旋电子学》研究领域，也隶属于半导体和微电子学与磁学的前沿交叉学科领域。研发基于电子自旋内禀属性的一系列自旋电子学器件，可大大促进科学和技术的进步与发展。与传统的静态及动态随机存储器(SRAM&DRAM)相比，磁随机存取存储器(MRAM)具有数据非易失性、低功耗、读写速度快、使用周期长和防辐射等综合优点，可广泛用于自动化控制、嵌入式芯片和手机内存、计算机和数据存储及网络系统、航空航天等信息工业以及国防和民用等领域，具有极其重要的科学意义和应用价值。近几年，美国Everspin公司生产的首代磁场驱动型4Mbit和16Mbit容量的MRAM芯片，已成功应用于卫星和航空航天、自动化控制、法国空中客车A350飞行安全控制以及其他特殊高端应用领域。目前，具有更高性能的第二代电流驱动型的磁随机存取存储器(STT-MRAM)，有望在今后几年实现更大规模的量产和更加广泛的实际应用，能为信息产业的可持续发展提供一个比目前高密度磁硬盘(HDD)存储器还要巨大的应用市场。
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