【摘 要】
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在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能(主要是跨导)的影响.在器件模拟过程中,采用隐含的SiGe材料和Si
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家科技攻关项目
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在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能(主要是跨导)的影响.在器件模拟过程中,采用隐含的SiGe材料和Si材料模型会得到与实际情况差别较大的结果.根据前人的材料研究工作,引入了插值所得的近似因子,以修正Silvaco中隐含的SiGe能带模型和迁移率参数.然后,依据修正后的模型对SiGe PMOS进行了更为精确的二维模拟,并验证了调制掺杂层的作用.
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