【摘 要】
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针对光电耦合器中使用的发光二极管（LED）进行了不同的方案设计,并对相关的光电耦合器进行了钴-60γ总剂量试验研究,比较了光电耦合器的主要参数——电流传输比辐照前后的变化,
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针对光电耦合器中使用的发光二极管（LED）进行了不同的方案设计,并对相关的光电耦合器进行了钴-60γ总剂量试验研究,比较了光电耦合器的主要参数——电流传输比辐照前后的变化,从而得到了优化的发光二极管设计。采用自主设计生产的发光管材料制作了发光二极管,同时利用中国电子科技集团公司第十三研究所研制的探测器、晶体管以及陶瓷管壳制作了光电耦合器。在4 mA偏置下,经过300 krad（Si）γ（辐照剂量率为50 rad（Si）/s）电离总剂量辐照后,电流传输比平均下降了31.5%,优于国外光电耦合器的已知水平。在
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