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叙述了采用DC磁控溅射方法直接在Si衬底上制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)超导薄膜的过程;讨论了衬底温度、薄膜厚度和后处理工艺等因素的影响;研究了Si与YBCO膜之间互相扩散的情况。溅射时衬底温度630℃,后在480～500℃进行原位等离子体氧化,再缓慢降温至200℃。在Si(100)和Si(111)上得到的YBCO膜,其零电阻温度分别为63K和64K。