【摘 要】
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采用0．5μm标准的CMOS数字工艺．设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源，其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区，可使电路使用非低压制造工艺，在1．5V的低电源电压下工作．该电压
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(60576025)天津市重点自然科学基金资助项目(03318911)．
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采用0．5μm标准的CMOS数字工艺．设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源，其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区，可使电路使用非低压制造工艺，在1．5V的低电源电压下工作．该电压源具有结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好的特点．模拟结果表明，其电源抑制比可达到88db，在-40～140℃的范围内温度系数可达到1．9×10^-5℃，电路总功耗为37．6275μw．
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