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采用单槽电化学腐蚀法在预置有倒金字塔结构的n型单晶硅上制备用于二维光子晶体的多孔硅。利用基于LabVIEW的虚拟仪器技术对实验仪器编程，搭建实时测控系统，实现对反应过程中所需电源的控制，并且实时显示采集到的随时间变化的电压和电流信号，将采集的数据存储在计算机里。实验表明，恒电流供电模式下致使电压剧烈变动，导致多孔硅侧向腐蚀严重，然而，恒电压供电模式下，能够有效地抑制侧向腐蚀。