【摘 要】
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采用PECVD方法制备了SiNx薄膜，用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质。测试结果表明，SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大，当SiH4／NH3为38／8时，沉积SiNx
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院,厦门大学物理系
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采用PECVD方法制备了SiNx薄膜，用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质。测试结果表明，SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大，当SiH4／NH3为38／8时，沉积SiNx薄膜的折射率为1．93，对应的Si／N比约为0．75。FTIR测试结果表明，随着SiH4／NH3流量的增加，N-H含量降低，Si-H含量升高，当SiH4／NH3为38／8时，SiNx薄膜的H含量最少。通过优化沉积条件和层厚度，将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中，并成功制备了平面结构的InP／I
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