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Effects of Ga-flux on Optical Properties and Morphology of GaN Grown via Molecular Beam Epitaxy

来源 :高等学校化学研究：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：l1301wz

【摘 要】

：

A series of GaN layers was grown on sapphire (0001) substrates under various growth conditions by means of the molecular beam epitaxy(MBE) method, the optical c

【作 者】

：

YANGJing-hai GONGJie FANHou-ga 

【机 构】

：

TheInstituteofCondensedStatePhysics,AppliedScienceCollege,DepartmentofPhysics,CollegeofMaterialsScie

【出 处】

：

高等学校化学研究：英文版

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

分子束外延生长 光致发光性质 表面形态学 氮化镓 半导体 Molecular beam epitaxy  Photoluminescence  Morpholo 

【基金项目】

：

吉林省科技厅科研项目，the Overseas-back Scholar Program of Ministry of Personnel of China

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A series of GaN layers was grown on sapphire (0001) substrates under various growth conditions by means of the molecular beam epitaxy(MBE) method, the optical characteristics and surface morphologies of the samples were studied. The results show that the

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