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应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解电子、空穴连续性方程和泊松方程，对ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结的伏安特性进行计算机数值模拟。基于材料、器件参数的实验数据，我们的计算结果支持了ＣｕＩｎＳｅ２中的Ｓｈｏｃｋｌｅｙ＝Ｒｅａｄ空间电荷复合是控制ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结二极管正向电流主导的物理机制，进一步说明在提高ＣＩＳ太阳电池性能的努力中开展ＣｕＩｎＳｅ２化学缺陷研究的重要性。