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在制备所有的NbN超导隧道结的过程中，为了得到良好的隧道结，刻蚀是很关键的一步，我们对反应离子刻蚀（砌E）和离子刻蚀两种不同的方法进行了研究比较．通过对多层结构用三种不同的方法刻蚀，再进行SEM观察切面图像，发现离子刻蚀出来的薄膜边缘，与离子源与基片摆放的方向有很大的关系，而RIE刻蚀的结区边缘较为平缓且结果稳定，有利于我们制备更好质量的超导隧道结。