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本文首次报导水平法生长大直径(D≥25mm)低位错密度(<10cm~(-2))的高完整性GaSb单晶。详细地叙述了控制界面形状,消除产生孪晶的因素,回熔缩颈等有关生长工艺。讨论了在不出现组分过冷的前提下尽量降低生长界面处的温度梯度的实验结果和实施途径,这有利于把产生位错的界面热应力降至最低。通过化学蚀的EPD观测和X射线衍射测试结果,分析了晶体中后部位错密度增高及其产生的原因。