【摘 要】
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本文采用0.15um Ga As p HEMT技术,通过级联反馈结构设计了一款用于卫星通信系统S波段的单片集成低噪放。达到技术指标为:在室温环境下,低噪放小信号增益为22d B,噪声系数<1.
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本文采用0.15um Ga As p HEMT技术,通过级联反馈结构设计了一款用于卫星通信系统S波段的单片集成低噪放。达到技术指标为:在室温环境下,低噪放小信号增益为22d B,噪声系数<1.4d B,在整个频带内增益平坦度<2d B。芯片总面积为1.5mm2。通过采用RC反馈到传统结构来保证噪声阻抗匹配,同时回波损耗显示出低噪放良好的工作性能。
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