【摘 要】
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据日本经济新闻报导,三星宣布率先在业界开发出使用40纳米半导体技术的存储芯片。此次开发的是32Gbit NAND闪存,通过将内存单元结构由原来的浮动栅型改为CTF(Charge Trap Fla
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据日本经济新闻报导,三星宣布率先在业界开发出使用40纳米半导体技术的存储芯片。此次开发的是32Gbit NAND闪存,通过将内存单元结构由原来的浮动栅型改为CTF(Charge Trap Flash)结构,实现大容量。CTF结构中,将存储单元的电荷蓄积部分,由浮动栅型采用的多晶硅改为氮化膜(SiN)。
According to Japan’s economic news, Samsung announced the first in the industry to develop memory chips using 40nm semiconductor technology. The development is 32Gbit NAND flash memory, by the memory cell structure from the original floating gate type to CTF (Charge Trap Flash) structure, to achieve large capacity. In the CTF structure, the charge accumulation portion of the memory cell is replaced by a nitride film (SiN) from the polysilicon used for the floating gate type.
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