采用有机源的金属层间膜的平坦化技术

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一、前言随着器件的高集成化、高速化和高功能化,器件表面台阶越来越陡峭。特别是进入亚微米时代,由于微细化和高电流密度的要求,金属布线的纵横尺寸比明显增大。所以,在扩展光刻极限的同时,从提高产品成品率、可靠性上来说,平坦化技术是一项极为重要的技术课题。图1示出 I. INTRODUCTION With the high integration, high speed and high function of the device, the surface of the device is steeper and steeper. Especially into the submicron era, due to the requirements of miniaturization and high current density, the aspect ratio of the metal wiring is significantly increased. Therefore, while extending the lithography limit, flattening technology is an extremely important technical issue to improve product yield and reliability. Figure 1 shows
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