【摘 要】
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利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌.测试发现样品的Ⅰ-Ⅴ曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5 V
【机 构】
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复旦大学材料科学系,200433复旦大学化学系,200433;
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利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌.测试发现样品的Ⅰ-Ⅴ曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5 V,反向饱和电流为0.02 mA.计算了异质结的理想因子η,发现当异质结两端偏压在0 V～0.3 V的低压区域,理想因子为1.85,而在0.3 V～0.8 V的高偏压区域,理想因子为8.36.解释了理想因子偏高的原因是由于金属-半导体接触以及ZnO纳米线与p+-Si界面存在缺陷.
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