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实验研究了具有极快响应的SI-LECGaAs光电导辐射探测器的响应，测量它对皮秒级脉冲激光的时间响应及对532nm直流激光的灵敏度。实验结果表明：SI—LECGaAs光电导辐射探测器时间响应约为100ps．与探测器偏压无关．但受测试系统的影响较大；用中子辐照改性和改进工艺的方法可提高探测器的时间响应；探测器的直流激光响应与偏压则呈线性关系。