日本制成室温半导体激光器

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:venicego
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据日本电气公司透露,该公司所属的中心研究室已于1970年10月中旬制成室温连续运转的双异结半导体激光器。目前输出功率约为几十毫瓦,估计将来可以达到100毫瓦。效率在到2%之间,但有可能增加一个数量级。响应时间小于1毫微秒。输出波长范围从8,400埃到9,200埃。
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