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研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法低温形成的ＳｉＤｘＮｙ薄膜与其电学特性。探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化退火等的相互关系。给出了获得电学特性优良的ＳｉＯｘＮｙ薄膜的优化ＰＥＣＶＤ工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论。
用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiOxNy薄膜及其电学特性
【摘 要】
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研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法低温形成的ＳｉＤｘＮｙ薄膜与其电学特性。探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化退火等的相互关系。
【机 构】
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华南理工大学应用物理系,南京四公司信息研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年10期
【基金项目】
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国家自然科学基金,广东省自然科学基金
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