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用同步辐射及Ｘ光管激发Ｘ射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的定性分布，为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。
用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布
【摘 要】
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用同步辐射及Ｘ光管激发Ｘ射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的定性分布，为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。
【机 构】
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中国科学院高能物理所,北京有色金属研究总院
【出 处】
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光谱学与光谱分析
【发表日期】
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1995年2期
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