【摘 要】
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基于0.18μm CMOS标准工艺,实现了一种调节供电电压对温度进行补偿的高精度时钟电路,且有效避免了温度变化及供电波动对振荡频率的影响。相较于同种类型电路,该结构无需带隙
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学,新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室
【基金项目】
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科技部重点研发计划(2019YFB2204500)。
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基于0.18μm CMOS标准工艺,实现了一种调节供电电压对温度进行补偿的高精度时钟电路,且有效避免了温度变化及供电波动对振荡频率的影响。相较于同种类型电路,该结构无需带隙基准源及运算放大器,在优化性能的同时,极大程度地缩减了芯片面积及电路复杂度。经仿真验证,当温度变化为-40℃~85℃时,时钟偏差小于1%,可以稳定输出频率为2 MHz的时钟信号;当供电由1.6V波动至2.0V时,时钟振荡频率波动仅为28 Hz。
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