【摘 要】
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为了适应近年来电子产品功能化和小型化的发展趋势,铝电解电容器正向着小型化、大容量的方向发展,制备高比容阳极箔的技术是实现这一目标的有效途径之一.本文系统介绍了制备高比容铝电解电容器用阳极箔表面阀金属化合物薄膜的沉积技术,从不同沉积技术制备出薄膜质量的角度,阐述了各种沉积技术在制备铝电解电容器用阳极箔时的优缺点;并分析了通过复合阀金属化合物薄膜的方法来提高阳极箔电性能的研究进展,探讨了高比容铝电解电容器用阳极箔制备技术未来的发展趋势.
【机 构】
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西安交通大学化学学院新能源材料化学重点实验室教育部物质非平衡合成与调控重点实验室,陕西西安710049
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为了适应近年来电子产品功能化和小型化的发展趋势,铝电解电容器正向着小型化、大容量的方向发展,制备高比容阳极箔的技术是实现这一目标的有效途径之一.本文系统介绍了制备高比容铝电解电容器用阳极箔表面阀金属化合物薄膜的沉积技术,从不同沉积技术制备出薄膜质量的角度,阐述了各种沉积技术在制备铝电解电容器用阳极箔时的优缺点;并分析了通过复合阀金属化合物薄膜的方法来提高阳极箔电性能的研究进展,探讨了高比容铝电解电容器用阳极箔制备技术未来的发展趋势.
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