论文部分内容阅读
实验中选择Si（N型，（100面），3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底，利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜，并通过真空退火来改变其缺陷态．正电子湮没多普勒展宽能谱（DBS）测量在慢正电子束流装置上进行．正电子湮没结果显示随退火温度增加，SiOx薄膜中有纳米晶硅生成，使正电子的捕获缺陷减少，从而使S参数呈下降趋势．