【摘 要】
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本文首先对半导体集成电路的多种工艺技术重新给予了新的评价,同时,对 MOS 的用途、n-沟 MOS 电路的速度以及双极型电路的功耗等问题,作了重新论证。此外,本文根据目前国际上
【机 构】
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西北通讯工程学院,西北通讯工程学院,
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本文首先对半导体集成电路的多种工艺技术重新给予了新的评价,同时,对 MOS 的用途、n-沟 MOS 电路的速度以及双极型电路的功耗等问题,作了重新论证。此外,本文根据目前国际上对大规模集成电路工艺技术的不断改进及深入研制之情况,预计在不久的将来,存贮器,微处理器和逻辑电路将会有新的突破。
This article first gives a new evaluation of the various process technologies for semiconductor integrated circuits. At the same time, it revisits the use of MOS, the speed of n-channel MOS circuits, and the power consumption of bipolar circuits. In addition, according to the current international continuous improvement of the large-scale integrated circuit process technology and in-depth development of the situation, it is expected that in the near future, memory, microprocessors and logic circuits will have new breakthroughs.
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