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随着MOSFET尺寸的不断减小，栅漏电流对器件特性的影响日益明显。栅漏电流噪声一方面影响器件性能，另一方面可用于栅介质质量表征，因此对其研究备受关注。由于栅介质噪声研究具有重要意义，文献中已经建立起各种各样的噪声模型，文中对其进行了归纳整理。在此基础上分析了各种模型的特性和局限性，进而探讨了其应用范围。