【摘 要】
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采用磁控溅射仪在高阻Si（100）衬底上沉积了[Fe（0．5nm）／Si（1．6nm）]啪和[Fe（1nm）／Si（3．2nm）]印多层膜，并在Ar气气氛下进行了1000℃，10s的快速热退火。为了比较，也进行了880℃，30min的常规退火。采
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院
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采用磁控溅射仪在高阻Si（100）衬底上沉积了[Fe（0．5nm）／Si（1．6nm）]啪和[Fe（1nm）／Si（3．2nm）]印多层膜，并在Ar气气氛下进行了1000℃，10s的快速热退火。为了比较，也进行了880℃，30min的常规退火。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、光谱仪和霍尔效应仪分析了样品的晶体结构、表面形貌、光吸收特性和电学性能。结果表明：Fe／Si多层膜法合成的样品均为β-Fesi2相且在（220）／（202）方向择优生长；经快速热退火合成的β-FeSi2薄膜光学带隙约为0．9eV。[F
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