CdZnTe像素阵列探测器研制

来源 :中国原子能科学研究院年报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:z4360877
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在X和γ射线的探测应用领域,为得到一种既有高的探测效率又有好的能谱特性和清晰的成像能力的探测器,人们对许多材料进行了研究。从闪烁体探测器到硅、锗探测器都有各自的缺点。闪烁体探测器虽具有较高的探测效率,但能量分辨率差;Si探测器对γ射线吸收系数小、探测器效率低;Ge探测器禁带宽度窄,因此必须在77K的低温下工作。20世纪90年代以来,随着CdZnTe In the field of X and gamma ray detection applications, many materials have been studied in order to obtain a detector with both high detection efficiency and good spectral characteristics and clear imaging capabilities. From scintillator detectors to silicon and germanium detectors all have their own drawbacks. Although scintillation detector has high detection efficiency, but poor energy resolution; Si detector γ-ray absorption coefficient is small, the detector efficiency is low; Ge detector narrow band gap, it must work at 77K low temperature. Since the 1990s, with the CdZnTe
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