Ti／ZrN2／Si薄膜界面扩散反应的研究

来源 :物理化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wenshibing

【摘要】

：

利用直流磁控反应溅射法在Si基底上制备了Ti/ZrN2/Si多层薄膜,利用俄歇深度剖析和线形分析研究了真空热处理前后膜层间的界面状态及相互作用.研究结果表明,Ti膜和ZrN2膜均在

【作者】

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王莉殷木省朱永法

【机构】

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清华大学化学系

【出处】

：

物理化学学报

【发表日期】

：

2003年7期

【关键词】

：

Ti/ZrN2/Si薄膜界面扩散反应俄歇电子能诺氮化锆薄膜化学沉积 interface diffusion and reaction Ti/ZrN2/S

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利用直流磁控反应溅射法在Si基底上制备了Ti/ZrN2/Si多层薄膜,利用俄歇深度剖析和线形分析研究了真空热处理前后膜层间的界面状态及相互作用.研究结果表明,Ti膜和ZrN2膜均在沉积过程中发生了界面扩散作用,真空热处理可以显著地增强Ti/ZrN2/Si膜层间的界面扩散和化学反应,并分别在界面层生成了TiNx和SiNx等物种.

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