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利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3～0.4 THz高功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、高及电阻率,最后给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲功率测量的探测器物理模型,其灵敏度约为0.509 kW-1,幅度波动不超过±14％,电压驻波比不大于1.34.