【摘 要】
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以ZnO∶ Al为底电极,Cu为顶电极,在同种工艺条件下分别制备了类电容结构的纯ZnO阻变器件和ZnO∶2％Cu阻变器件,分析比较了两种器件的典型I-V特性曲线、置位电压(Vset)和复位电
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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以ZnO∶ Al为底电极,Cu为顶电极,在同种工艺条件下分别制备了类电容结构的纯ZnO阻变器件和ZnO∶2％Cu阻变器件,分析比较了两种器件的典型I-V特性曲线、置位电压(Vset)和复位电压(VReset)的分布范围、器件的耐久性.结果显示,ZnO∶Cu阻变器件较纯ZnO阻变器件有更大的开关比和更稳定的循环性能.另外,研究了ZnO∶Cu阻变器件的阻变机理,通过对其I-V特性曲线分析得出以下结论:ZnO∶Cu阻变器件在高阻态遵循空间电荷限制电流效应,低阻态符合欧姆定律.
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