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采用SiO2-C还原法在电阻炉内生产碳化硅,由于工艺条件波动和反应不充分,碳化硅中会形成杂质,这些杂质以Si和SiO2为主。研究了从气流磨加工所得的碳化硅微粉中去除Si和SiO2,考察了碱液质量浓度、液固质量比、温度和时间对杂质浸出的影响。条件试验及正交试验结果表明:在碱质量浓度为150g/L、液固质量比为4∶1、温度为70℃条件下浸出4h,Si和SiO2去除率达90%以上,除杂效果明显。