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本文综述了金在硅中的异常扩散行为,重点分析了高浓度磷扩散区对金的吸收作用和SiO2,对金原子扩散的掩蔽作用.指出目前逻辑集成电路制造中广泛采用的金扩散程序,其扩金效果较差,提出金扩散与磷扩散同时进行的新扩金程序.实验结果证实扩金效果得到增强,从而开关性能相应得到改善.
改变金扩散程序增强扩金效果
【摘 要】
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本文综述了金在硅中的异常扩散行为,重点分析了高浓度磷扩散区对金的吸收作用和SiO2,对金原子扩散的掩蔽作用.指出目前逻辑集成电路制造中广泛采用的金扩散程序,其扩金效果较
【机 构】
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浙江大学物理无线电系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1980年02期
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