氮化镓极性控制技术

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《科技开发动态》2003年第10期报道了南京大学一项氮化镓极性控制技术的研究成果。该成果在蓝宝石衬底上生长氮化镓,生长系统的生长温度:低温区在850~900℃,高温区在1050~1100℃,将HCI(源HCl)/氮气载气通入含金属镓管路,在通入HCl/氮气载气的同时,氨气和氮气载气、额外HCI/总氮气也通入系统;3路气体在蓝宝石衬底表面 “Science and technology development trends” 2003 the tenth period reported a nanometer gallium arsenide polarity control technology research results. The results of the growth of gallium nitride on a sapphire substrate, the growth temperature of the growth system: low temperature zone at 850 ~ 900 ℃, high temperature zone at 1050 ~ 1100 ℃, HCI (source HCl) / nitrogen carrier gas into the metal containing gallium tube Road, while passing the HCl / nitrogen carrier gas, ammonia and nitrogen carrier gas, additional HCI / total nitrogen also into the system; 3 gas on the sapphire substrate surface
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