超薄W-Si-N作为铜与硅之间的扩散阻挡层

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wei370210524

【摘要】

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研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性，在Si(100)衬底上用离子柬溅射方法淀积W-Si-N，Cu／W-Si-N薄膜，样品经过高纯氮气保护下的快速热退火，用俄歇电子能谱原子深度分布与x射线

【作者】

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陆华屈新萍王光伟茹国平李炳宗

【机构】

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复旦大学微电子学系

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

：

W-Si-N 扩散阻挡层热稳定性铜互连

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研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性，在Si(100)衬底上用离子柬溅射方法淀积W-Si-N，Cu／W-Si-N薄膜，样品经过高纯氮气保护下的快速热退火，用俄歇电子能谱原子深度分布与x射线衍射以及电流一电压特性测试等方法研究了W-Si-N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性，实验分析表明W-Si-N三元化合物具有较佳的热稳定性，在800℃仍保持非晶态，当W-Si-N薄层的厚度仅为6nm时，仍能有效地阻挡铜扩散。

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