【摘 要】
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利用光荧光谱研究了带电粒子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响。用能量为1MeV、注量为10^13-10^16/cm^2的电子辐照，模拟太空环境下范共仑带对多量子阱的辐射。辐射后
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利用光荧光谱研究了带电粒子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响。用能量为1MeV、注量为10^13-10^16/cm^2的电子辐照，模拟太空环境下范共仑带对多量子阱的辐射。辐射后在450℃真空环境下退火5分钟，测量了辐照前后材料的荧光谱。发现量子阱特征峰772nm(E=1.61eV)辐照后峰位不变，峰高有所降低，但退火后峰高有所恢复，仍比辐照前要低；注量为10^16/cm^2的样品中GaAs的D^0-A^0对复合发光峰832nm(E=1.49eV)消失。对此结果进行了讨论，并与质子辐照的情况
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