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采用直流磁控溅射法,当衬底温度为室温时,在普通玻璃衬底上制备出了低电阻率、高透过率的ZnO:Al透明导电薄膜。研究了薄膜厚度对薄膜结构以及光电特性影响。当薄膜厚度为930nm,薄膜的光电特性最好,电阻率为4.65×10^-4Ω·cm,可见光范围内的平均透过率为85.8%,禁带宽度约为3.51eV。