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采用溶胶-凝胶和原位生长工艺成功地制备了CdS/SiO3和ZnS/SiO2半导体微晶掺杂玻璃,给出了该样品三阶非线性光学性质的实验研究方法及最新实验结果。利用简并四波混频技术测得其三阶非线性极化率的大小在10^-20m^2/W。此结果比纯SiO2基本提高约2-3个数量级。表明半导体掺杂玻璃的三阶光学非线性明显增强。