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做费用的效果在上几何并且有机硅 oligomers nSi x (C=C ) 的电子结构 y + 用密度被学习了功能的理论。做费用的罐头显著地降低刺激精力。Interchain 洞跳跃主要在结合的单位之间发生。做的 nSi x (C=C ) y + oligomer 能经历一个结构的重新整理。重排的结构的模仿的 UV/vis 吸收山峰比非重排的在更高的精力被定位。如果一个做的分子经历一个重新整理，洞转移率显著地被减少。这些结果提供一个基础解释以前观察的试验性的现象。