【摘 要】
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无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出
【机 构】
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哈尔滨理工大学教育部工程电介质重点实验室
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无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧化铟锡（ITO）/酞菁铜（CuPc）/铝（Al）/酞菁铜（CuPc）/铜（Cu）的有机光电晶体管.对器件的光电特性进行了测试分析,结果显示晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性表现出显著的不饱和特性和光敏特性.当发射极集电极偏压为3V时,器件无光照时电流放大系数为16.5,当625 nm光照射时的电流放大系
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