【摘 要】
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高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所十二室,中国科学院长春物理研究所十二室 长春 130021,长春 130021
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高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微安到几个微安。
High-temperature sputtered ion source has been used in the LC-3 ion implanter for successful all-element implantation. This paper describes the structure and use of the ion source, and based on our practice, improved the source furnace. Beam intensity reaches the target from a few micro-amperes to a few microamperes.
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