面向45纳米制造工艺的技术研究

来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户：badboyker

【摘要】

：

<正> 随着130纳米技术成为集成电路制造工业的主流技术,以及90纳米技术的逐渐成熟,欧洲微电子领域最大的独立研究中心TMEC,已将其研究重心转移到更小尺寸的工艺技术。其中,面

【作者】

：

高腾

【机构】

：

比利时IMEC微电子研究中心

【出处】

：

集成电路应用

【发表日期】

：

2003年7期

【关键词】

：

集成电路 45纳米制造工艺 157纳米深紫外线光刻极深紫外线光刻高迁移率膜金属栅极 CMOS器件互连清洗杂质控制

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<正> 随着130纳米技术成为集成电路制造工业的主流技术,以及90纳米技术的逐渐成熟,欧洲微电子领域最大的独立研究中心TMEC,已将其研究重心转移到更小尺寸的工艺技术。其中,面向45纳米及更小尺寸的工艺研究项目包括:(1)157纳米深紫外线(DUV)和极深紫外线(EUV)光刻;(2)用于平面缩小器件(Scaled Planar Device)的高迁移率膜的应用和先进的源/漏极工程方案;(3)用于平面缩小器件(Scaled Planar Device)的高

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