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采用直流磁控溅射制备TaN薄膜，研究了热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响。结果表明，退火温度及退火时间都将影响薄膜的微结构及方阻。随退火温度的升高和时间的延长，TaN薄膜的方阻逐渐增大，但当退火温度高于800℃时，由于氧化严重导致薄膜的方阻异常增大。退火可显著改善薄膜的TCR，制备态TaN薄膜的TCR值为-1．2×10^-3，薄膜经800℃退火30min后，其TCR可降低到-7．0×10^-4。