【摘 要】
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采用溶胶-凝胶浸渍提拉法（Sol-Gel Dip-Coating,SGDC）制备SnO2纳米晶薄膜气敏传感器。较系统地研究了掺杂量、镀膜层次和热处理温度等制备工艺对薄膜表面形貌、晶粒大小及气敏
【机 构】
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华中科技大学教育部敏感陶瓷工程中心
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采用溶胶-凝胶浸渍提拉法（Sol-Gel Dip-Coating,SGDC）制备SnO2纳米晶薄膜气敏传感器。较系统地研究了掺杂量、镀膜层次和热处理温度等制备工艺对薄膜表面形貌、晶粒大小及气敏性能的影响。研究结果表明：铟的最佳掺杂量为4at%,最佳镀膜层数为7层,最佳热处理温度为600℃.气敏传感器最佳工作温度为165℃,在此工作温度下,薄膜的灵敏度分别为26.3（137 ppm H2S）和2.5（2.74 ppm H2S）,薄膜的响应恢复时间较短分别为8 s和22 s,对H2S气体有较好的选择性。
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