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图1所示的电路可在实验仪器中的一组大容量离子偏转板上提供20MHz方波.为了获得所需的偏转量,偏转板电压必须达到20～30V,远大于普通逻辑电路系列或驱动器系列所能提供的电压.为了减小人为寄生信号,上升时间和下降时间必须极短,过冲和波动最小.
用作超快速离子偏转板驱动器的MOSFET
【摘 要】
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图1所示的电路可在实验仪器中的一组大容量离子偏转板上提供20MHz方波.为了获得所需的偏转量,偏转板电压必须达到20～30V,远大于普通逻辑电路系列或驱动器系列所能提供的电压.
【机 构】
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Bolton Engineering Inc, Melrose, MA
【出 处】
：
电子设计技术
【发表日期】
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2003年3期
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