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以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料，采用射频磁控反应溅射法，通过改变Ar／N2流量比得到了一系列氮化硅薄膜。用分光光度计对薄膜的光学特性进行了表征；X射线光电子能谱（XPS）表明薄膜中出现了Si—N的键合结构；原子力显微镜（AFM）图显示了在抛光硅片上制备出的薄膜比较平整、致密。实验结果表明：纯N2条件下制备的薄膜比使用Ar和N2混合气体条件下制备的薄膜中的SiNx含量要低；在混合气体参与的条件下，随着氮气流量的增加，薄膜中出现了微孔，缺陷态增加，并对微孔的形成机制进行了解释。