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论述了ＳＴＭ电子束光刻技术的机理与特点，利用ＨＺＮＡＮＯ－Ⅳ型ＳＴＭ进行了Ｓｉ（１００）表面光刻试验，详细探索了试验原理，方案和工艺步骤，并对试验结果进行了分析。在大气环境下获得了深度〈１００ｎｍ，宽度〈２５ｎｍ的刻蚀线。
Si（100）表面STM电子束光刻技术的研究
【摘 要】
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论述了ＳＴＭ电子束光刻技术的机理与特点，利用ＨＺＮＡＮＯ－Ⅳ型ＳＴＭ进行了Ｓｉ（１００）表面光刻试验，详细探索了试验原理，方案和工艺步骤，并对试验结果进行了分析。在大气环境下获得了深度〈１００ｎｍ，宽度〈２５ｎｍ的刻蚀线。
【机 构】
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南阳理工学院,华中理工大学
【出 处】
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制造技术与机床
【发表日期】
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1999年8期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助
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