94GHz低噪声PM-HEMT

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zuozqzq7013
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《IEEE EDL》1990年12月报道了94GHz频段以GaAs为衬底的迄今最低噪声系数的PM-HEMT器件.首先在半绝缘GaAs衬底上生长未掺杂超晶格/GaAs/超晶格结构的缓冲层,并在其上相继生长19nm未掺杂In_(0.15)Ga_(0.85)As沟道;30nm未掺杂Al_(0.25)Ga_(0.75)As隔层,其表面有一浓度为5×10~(12)cm~(-2)的Si平面掺杂;30nm未掺杂Al_(0.25)Ga_(0.75)As和40nm掺杂浓度为6×10~(18)cm~(-8) “IEEE EDL” reported the lowest noise figure-based PM-HEMT device based on GaAs in the 94 GHz band in December 1990. The undoped superlattice / GaAs / superlattice structure was first grown on a semi-insulating GaAs substrate 19nm undoped In_ (0.15) Ga_ (0.85) As channel was grown on it; 30nm undoped Al_ (0.25) Ga_ (0.75) As spacer was deposited on the surface of the buffer layer with a concentration of 5 × 10 The doping concentration of 30 nm undoped Al_ (0.25) Ga_ (0.75) As and 40 nm at 6 × 10 ~ (18) cm ~ (-8)
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