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采用粒径为600nm和200nm的高纯氧化铝、40nm碳化硅为原料,应用放电等离子（SPS）烧结工艺,在200℃/min的升温速率条件下,研究了原料粒径、温度条件对于纳米SiC-Al2O3复合陶瓷制备过程中晶粒生长以及致密度变化的影响。研究结果表明：在烧结温度1450℃、压力100MPa、保温2min的条件下,2种不同原料的纳米复合陶瓷的晶粒尺寸均在亚微米范围,烧结体致密度达98%。在相同温度压力条件下,小粒径烧结体密度小于大粒径烧结体。