【摘 要】
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本文阐明了影响GaAs/GaAlAs双异质结边发光管特性的因素,其中着重讨论了有源区的掺杂浓度和掺杂类型对DH-ELED光功率和调制能力的影响。结果表明:掺Si或轻掺Ge的LEDs具有较高
【机 构】
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上海通信设备厂,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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本文阐明了影响GaAs/GaAlAs双异质结边发光管特性的因素,其中着重讨论了有源区的掺杂浓度和掺杂类型对DH-ELED光功率和调制能力的影响。结果表明:掺Si或轻掺Ge的LEDs具有较高的功率和慢的响应,这些LED只可用于低码速和较高功率的系统。有源区重掺Ge导致器件的响应快和功率较低,这种LED可用于高速系统。通过最佳掺杂,可获得高速和大功率的DH-ELED。
In this paper, the factors affecting the characteristics of GaAs / GaAlAs double heterostructure edge-emitting diodes are described. The effects of doping concentration and doping type of active region on the optical power and modulation capability of DH-ELED are mainly discussed. The results show that LEDs with Si or Ge-doped LEDs have higher power and slower response, and these LEDs are only available for systems with lower code rates and higher power. Heavy doping of Ge in active regions results in faster device response and lower power, which can be used in high-speed systems. Through the best doping, high-speed and high-power DH-ELED can be obtained.
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