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利用微波等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）设备，在硅基片上进行了金刚石薄膜的沉积实验。结果表明，在基片温度约为９５０℃，碳源浓度为１％，反应室内气体压力为４６６６．２８Ｐａ时可获得高质量金刚石薄膜。研究认为，在该实验条件下，氢原子脱附几率大，形成的碳县键不易倒伏，容易被碳原子替代，从而形成ＳＰ＾Ｅ杂化健，因而有利于提高金刚石的成核密度。