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利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H—SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(xRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H—SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高。生长温度、反应气源中C/Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在A1Njsi(111)复合衬底上外延4H